SST多晶硅工艺

多晶硅的生产是一个净化过程,就如同洗衣机:98%纯度的工业硅经过各种纯化工艺达到10N+(=9.999999999+)。相对应太阳能级多晶硅9N,电子级11NSST工艺可实现生产太阳能级多晶硅和电子级多晶硅。

之前的工艺由于高能耗和不易获得高品质产品受到局限。

SST开发的工艺与传统生产工艺相比,相同的高质量产品而能耗显著降低。

 

1. 氯氢化工艺

原料四氯化硅STC,工业硅mgSi,氢气H2在流化床反应器中反应得到三氯氢硅TCS。氯氢化工艺含有两步同时发生反应:一是STC氢化为TCS,二是mgSi和反应中间物HCl氯化为TCS

SST氯氢化工艺可便捷集成于现有Siemens工艺装置中。与STC氢化单元和TCS氯化合成单元相比,SST氯氢化工艺可节省70%的能耗。

启动和操作简单,安全。

 

2. 歧化工艺

此过程是一步催化歧化TCSMonosilane(25%)STC (75%)。歧化之后为硅烷提纯。通过进一步的(可选)纯化工艺,用以去除残留的氮,氢,氧,可得到电子级产品或高纯硅烷。

 

3. 化学气相沉积

 SST是市场上唯一提供高效硅烷CVD系统。 

优势:

1. SST的CVD系统不需尾气回收装置

2. 沉积过程不产生副产品STC或HCl

3. SST沉积温度低于TCS沉积工艺,使能耗极大减少

4. 物耗低,工艺可靠性,自动化程度高

5. 无定形硅小于2%

6.  可继承于现有工厂装置

SST提供18对棒,27对棒CVD反应器,配备中压启动设备以保证反应器生产安全。