SST Technologie wird allen Ansprüchen gerecht: Kosten, Qualität, Politische Richtlinien

Die SST hat ein Verfahren zur Polysiliziumherstellung entwickelt, das zum einen durch seine einfache Prozessstruktur den Betrieb erleichtert  und zum anderen ein enormes  Kosteneinsparungspotential birgt.

Mit ihrer optimierten und vom TÜV zertifizierten Hydrochlorierung sowie der einzig kommerziell verfügbaren Kombination aus Disproportionierung zur Herstellung von Monosilan und CVD-Polysiliziumabscheidung auf Monosilanbasis, nimmt die SST eine einzigartige Stellung am Markt ein. Gegenüber herkömmlichen Verfahren,  basierend auf  dem Siemens-TCS Verfahren, bietet das SST-Verfahren bei höchster Produktqualität eine Kosteneinsparung von bis zu 20%.

Mit Hinblick auf die globale Marktentwicklung  der Photovoltaik-Industrie steigt die Nachfrage nach wirtschaftlichen Verfahren zur Herstellung qualitativ-hochwertigen Polysiliziums besonders im nicht-europäischen Ausland:

So bekräftigte der Nationale Volkskongress der VR China in seinem 12. Fünfjahresplan die Wichtigkeit des Umweltschutzes und  setzt in diesem Sinne die Entwicklung und Förderung der neuen Energien auf die politische Agenda. Gleichzeitig werden stringente Qualitäts –und Effizienzziele gesteckt, die besonders für die Hersteller von Polysilizium eine Herausforderung bedeuten. 

In 2014 wurden abermals neue Richtlinien in China veröffentlicht, welche höhere Qualitätsanforderungen für zukünftige Polysilizium-Projekte festlegen. Die Monosilangas- Methode von SST erfüllt nicht nur die im chinesischen Dokument minutiös dargelegten Vorgaben zu Qualität und Energieverbrauch, sondern überzeugt Experten und unsere chinesischen Partner auch durch ein Höchstmaß an Prozesssicherheit.

Darüber hinaus liegen weitere Potentiale der SST-Technologie in den Staaten des Sonnengürtels, in Südafrika, Südamerika und Südostasien.

EPIA Global Market Outlook for Photovoltaics 2014-2018, EPIA, 2014

BMZ

Rede des chinesischen Botschafters zum 12. Fünfjahresplan unter http://www.china-botschaft.de/det/dshd/t826701.htm, Stand: 14.09.2012

www.miit.gov.cn/n11293472/n11293832/n12845605/n13916913/n15737765.files/n15737333.pdf